赵俊

姓　　名

赵俊

性　　别

女

出生年月

1981年12月

学历学位

理学博士

职　　称

副教授

部　　门

565net必赢客户端大学物理教学中心

导师类别

硕导

指导专业

物理学、材料学

办公地点

仙林教2-316（2）

办公电话

电邮地址

zhaojun@njupt.edu.cn

个人主页

主授课程

  大学物理（本科学生）、计算物理（硕士研究生）

社会

兼职

担任Nanoscale, Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem. Lett.,   Carbon, J.   Phys. Chem. C等期刊通讯审稿人；中国化学学会会员；

研究

方向

1、    低维纳米材料电输运性能与光电响应机制的研究；

2、    低维材料拓扑绝缘体设计与谷电子学研究；

3、    低维纳米表界面的电催化性能模拟；

个人

简历

赵俊，南京大学物理化学专业博士毕业，长期从事低维纳米材料的理论设计与模拟工作，在Science, Adv. Funct. Mater., ACS Energy Lett., Appl. Phys. Lett., WIREs   Comput. Mol. Sci., Nano Research, Small, Carbon, Nanoscale, ACS Appl. Mater.   & Interfaces, J. Phys. Chem. C, Phys. Chem. Chem. Phys.等权威期刊上发表SCI检索论文50多篇。主持承担国家自然科学基金等项目8项。受邀担任Nanoscale, Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem. Lett., Carbon, J. Phys.   Chem. C等期刊的通讯审稿人。

主要

成果

主持承担国家自然科学基金等科研项目8项; 第一或通讯作者在权威期刊上发表SCI论文50余篇；

研究

项目

1、2022.01～2025.12，国家自然科学基金-面上项目，主持，在研；

2、2019.01～2022.12，国家自然科学基金-面上项目，主持，在研；

3、2015.01～2017.12，国家自然科学基金-青年项目，主持，结题；

4、2014.01～2016.12，国家自然科学基金-合作研修，主持，结题；

5、2011.07～2014.07，湖北省教育厅科学研究项目，主持，结题；

5、2018.07～2021.07，565net必赢客户端人才引进项目，主持，结题；

6、2019.01～2021.12，565net必赢客户端国自基金孵化项目，主持，结题；

荣誉

奖励

湖北省第三层次人才；南京大学博士研究生国家奖学金；南京大学优秀毕业生；湖北省优秀学术论文一等奖；

论著
代表作

[1] Jun Zhao*, Xuhu Jin, Hui Zeng*, Can Yao,Gan Yan. Spin-valley   coupling and valley splitting in the MoSi₂N₄/CrCl₃   van der Waals heterostructure. Appl. Phys. Lett.119: 213101 (2021)

[2] Jun Zhao*, Hui Zeng*. Type-II AsP/As van der Waals   Heterostructures: Tunable Anisotropic Electronic Structures and Optical   Properties. Adv. Mater. Interfaces8: 2001555 (2021)

[3] Xiaowen Yu, Jun   Zhao*, Mats Johnsson*. Interfacial Engineering of   Nickel Hydroxide on Cobalt Phosphide for Alkaline Water Electrocatalysis. Adv.   Funct. Mater., 2101578 (2021)

[4] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Ge Yao. Computational design   of a polymorph for 2D III–V orthorhombic monolayers by first principles   calculations: excellent anisotropic, electronic and optical properties. Phys.   Chem. Chem. Phys., 23: 3771 (2021)

[5] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Di Wang, Ge Yao.First principles calculation of metal (Ni and Cu) contact on the electronic   transport properties of 2D GeP semiconductor. Appl.   Surf. Sci., 542: 148596 (2021)

[6] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Ge Yao, Di Wang.Electron   transport properties of 2D IV-V semiconductors and their improvement by   graphene contact. Appl. Surf. Sci., 519: 146203 (2020)

[7] Xiaojuan   Lian, Xinyi Shen,   Miaocheng   Zhang, Jianguang   Xu, Fei Gao,   Xiang Wan,   Ertao Hu,   Yufeng Guo,Jun Zhao*,Yi Tong*. Resistance switching characteristics and mechanisms   of MXene/SiO₂ structure-based memristor. Appl. Phys. Lett. 115, 063501 (2019)

[8]   Jun Zhao,   Zheng-Hang   Qi, Yong Xu,   Jun Dai,   Xiao Cheng   Zeng, Wanlin Guo,   Jing Ma*.   Theoretical studies on tunable electronic structures and potential   applications of two‐dimensional arsenene‐based materials. WIREs Comput   Mol Sci, 9,   e1387(2019)

[9] Jun Zhao*, Hui Zeng, Xingfei Zhou.   X₃N (X=C and Si) Monolayers and Their van der Waals Heterostructures with   Graphene and h-BN: Emerging Tunable   Electronic Structures by Strain Engineering. Carbon 145:1-9 (2019)

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